ВУЛ
Бенцион Моисеевич [р. 9(22).5.
1903, Белая Церковь], советский физик, чл.-корр. АН СССР (1939), Герой
Социалистич. Труда (1969). Чл. КПСС с 1922. Окончил Киевский политехнич.
ин-т в 1928. С 1932 работает в Физич. ин-те АН СССР, с 1933 руководит организованной
им лабораторией физики диэлектриков (ныне лаборатория физики полупроводников).
С 1951 чл. Главной редакции БСЭ. Осн. труды по физике диэлектриков и полупроводников.
В. установил природу краевого эффекта при пробое твёрдых диэлектриков и
особенности пробоя сжатых газов в резко неоднородных полях; развил основы
теории фильтрации аэрозолей (1937). Открыл (1944) новый сегнетоэлектрик
- титанат бария ВаТЮз (Гос. пр. СССР, 1946), что положило начало многим
науч. работам и практич. применениям в области сегнетоэлектричества. Ряд
работ посвящён исследованиям р-п-переходов в полупроводниках и основам
теории полупроводниковых приборов. Под руководством В. созданы первые в
СССР лабораторные образцы полупроводниковых приборов. Впервые предложил
использовать р-n-переходы в качестве нелинейных конденсаторов, что находит
широкое применение в параметрич. усилителях. В 1962 совместно с другими
осуществил первый в СССР полупроводниковый квантовый генератор (Ленинская
пр., 1964). Награждён 4 орденами Ленина, 2 др. орденами, а также медалями.
Соч.: Последовательный пробой твердых диэлектриков,
"Журнал технической физики", 1932, т. 2, в. 3 - 4: Вещества с высокой и
сверхвысокой диэлектрической проницаемостью, "Электричество", 1946, М°
3 (совм. с И. М. Гольдманом); О диэлектрических свойствах переходных слоев
в полупроводниках, "Журнал технической физики", 1955, в. 1; Электрическая
прочность полупроводников, "Физика и техника полупроводников", 1967, т.
1, в. 11, с. 1638.
Лит.: Бенцион Моисеевич Вул, "Успехи
физических наук", 1963, т. 80, в. 4.
А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я