ГАННА ДИОД
полупроводниковый прибор, работа к-рого
основана на Ганна эффекте. Осн. элементом Г. д. является полупроводниковый
кристалл из арсени-да галлия, фосфида индия или др. толщиной от единиц
до сотен мкм, к к-рому присоединены 2 омических контакта. Удельное
электрич. сопротивление кристалла - от
А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я