ИОФФЕ
Абрам
Фёдорович [17(29).10. 1880, Ромны Полтавской губ.,- 14.10. 1960, Ленинград],
советский физик, акад. АН СССР (1920; чл.-корр. 1918), вице-президент АН
СССР (1926-29, 1942-45), Герой Социалистич. Труда (1955). Чл. КПСС с 1942.
В 1902 окончил Петербургский технологич. ин-т и в 1905 Мюнхенский ун-т.
В 1903-06 работал ассистентом В. К. Рентгена в Мюнхене, где получил учёную
степень доктора философии. С 1906 в Петербургском (с 1924 - Ленинградский)
политехническом ин-те (в 1913-48 профессор). В 1913 ему была присвоена
учёная степень магистра физики, а в 1915 за исследование упругих и электрических
свойств кварца - степень доктора физики. С 1918 руководитель организованного
по его предложению физико-технического отдела Гос. рентгенологического
и радиологического ин-та в Петрограде, а затем до 1951 директор Физико-технич.
ин-та АН СССР, созданного на основе этого отдела. С 1952 директор Лаборатории
полупроводников, с 1955-Ин-та полупроводников АН СССР. С 1932 И.-директор
Физико-агрономич. ин-та, также организованного по его инициативе. По инициативе
И. и при его участии были созданы физико-технич. ин-ты в Харькове, Днепропетровске,
Свердловске, Томске.
В 1913 И. установил
статистич. характер вылета отд. электронов при внешнем фотоэффекте. И.
совм. с М. В. Кирпи-чёвой впервые выяснил механизм электропроводности ионных
кристаллов (1916- 1923). Совм. с сотрудниками Кирпичёвой и М. А. Левитской
в 1924 получил важные результаты в области прочности и пластичности кристаллов.
Было также показано, что прочность твёрдых тел повышается в сотни раз при
устранении поверхностных микроскопич. дефектов; это привело к разработке
высокопрочных материалов (1942-47). В исследованиях И. разработай рентгеновский
метод изучения пластической деформации.
В 1931 И. впервые
обратил внимание на необходимость изучения полупроводников как новых материалов
для электроники и предпринял их всестороннее исследование. Им (совм. с
А. В. Иоффе) была создана методика определения осн. величин, характеризующих
свойства полупроводников. Исследование И. и его школой электрич. свойств
полупроводников (1931-40) привело к созданию их науч. классификации. Эти
работы положили начало развитию новых областей полупроводниковой техники
- термо- и фото-электрич. генераторов и термоэлектрич. холодильных устройств.
В 1942 удостоен Гос. премии за исследования в области полупроводников.
Важнейшая заслуга И.- создание школы физиков, из к-рой вышли многие крупные
советские учёные (А. П. Александров, Л. А. Арцимович, П. Л. Капица, И.
К. Кикоин, И. В. Курчатов, П. И. Лукирский, Н. Н. Семёнов, Я.И.Френкель
и др.). Уделяя много внимания педагогическим вопросам, организовал новый
тип физич. факультета - физико-технич. ф-т для подготовки инженеров-физиков
в Политехническом ин-те в Петрограде (1918). Награждён 3 орденами Ленина.
В 1961 И. посмертно присуждена Ленинская пр. Почётный член многих АН и
науч. обществ мира. Соч.: Физика кристаллов, М.-Л., 1929; Физика полупроводников,
2 изд., М. -Л., 1957; Основные представления современной физики, Л. -М.,
1949.
Лит.: Френкель
Я. И., Академик Абрам Федорович Иоффе (К 60-летию со дня рождения), "Вестник
АН СССР", 1940, № 10; Сборник, посвященный семидесятилетию академика А.
Ф. Иоффе, М., 1950; Кикоин И. К. и Соминский М.С., Абрам Федорович Иоффе
(К восьмидесятилетию со дня рождения), "Успехи физических наук", 1960,
т. 72, в. 2; Соминский М. С., Абрам Федорович Иоффе, М.-Л., 1964, Л.Г.Дорфман.
А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я