МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ
магниторезистивный
эффект, изменение электрич. сопротивления твёрдого проводника под действием
внешнего магнитного поля. Различают поперечное М., при к-ром электрич.
ток течёт перпендикулярно магнитному полю, и продольное М. (ток параллелен
магнитному полю). Причина М. - искривление траекторий носителей тока в
магнитном поле. У полупроводников относительное изменение сопротивления
Др/р в 100 - 10 000 раз больше, чем у металлов,
и может достигать
сотен %. М. относится к группе гальваномагнитных явлений. М. используется
для исследования электронного энергетич. спектра и механизма рассеяния
носителей тока кристал-лич. решёткой, а также для измерения магнитных полей.
Лит.: Лифшиц И. М., Аз бель М. Я.,
Каганов М. И., Электронная теория металлов, М., 1971; Блатт ф., Физика
электронной проводимости в твердых телах, пер. с англ., М., 1971; А н с
е л ь м А. И., Введение в теорию полупроводников, М.- Л., 1962. Э. М.
Эпштейн.
А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я