ПАРАМЕТРИЧЕСКИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД

ПАРАМЕТРИЧЕСКИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД полупроводниковый
диод, относящийся к группе варакторных диодов, принцип действия к-рых основан
на эффекте зависимости ёмкости р-n-перехода от приложенного к нему
напряжения. В параметрических усилителях П. п. д. используют в качестве
элемента с переменной ёмкостью, включаемого в колебательный контур усилителя
(использование p-n-перехода с этой целью впервые предложено Б. М.
Вулом
в
1954); на П. п. д. подаётся постоянное обратное смещение (обычно - 0,3-2,0
в) и два переменных СВЧ (до неск. сотен Ггц) сигнала - от генератора
накачки и усиливаемый. П. п. д. отличаются низким уровнем собств. шумов,
к-рый зависит в основном от сопротивления полупроводникового материала
и его темп-ры. Для повышения верхней границы полосы частот усиливаемых
колебаний стремятся уменьшить ёмкость П. п. д. в рабочей точке Со и постоянную
времени диода tСо, где r- суммарное сопротивление объёма П. п. д., примыкающего к р-n-переходу,
и контактов. Мощность колебаний накачки ограничивается допустимым значением
обратного напряжения [Uчаще всего из кремния, германия, арсенида галлия. Значения осн. параметров
П. п. д., выпускаемых в СССР и за рубежом: Спф,
t = 0,1-2 псек, Uв
и диапазон рабочих темп-р 4-350 К.

Лит.: Физические основы работы полупроводниковых
СВЧ диодов, М., 1965; СВЧ - полупроводниковые приборы и их применение,
пер. с англ., М., 1972. И. Г. Васильев.

А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я