ПОЛУПРОВОДНИКИ АМОРФНЫЕ

ПОЛУПРОВОДНИКИ АМОРФНЫЕ вещества
в твёрдом аморфном состоянии, обладающие свойствами полупроводников
(см.
Аморфное
состояние).
П. а. разделяют на 3 группы: ковалентные (аморфные Ge и
Si, InSb, GaAs и др.), халькоге-яидные стёкла (напр., Asоксидные стёкла (напр., Vи диэлектрич. плёнки (SiOи др.).


Энергетич. спектр П. а. отличается от кристаллич.
П. наличием "хвостов" плотности электронных состояний, проникающих в запрещённую
зону. По одной из теорий, П. а. следует рассматривать как сильно легированный
и сильно компенсированный полупроводник, у к-рого "дно" зоны проводимости
и "потолок" валентной зоны флуктуируют, причём это - крупномасштабные флуктуации
порядка ширины запрещённой зоны. Электроны в зоне проводимости (и дырки
в валентной зоне) разбиваются на систему "капель", расположенных в ямах
потенциального рельефа и разделённых высокими барьерами. Электропроводность
в П. а. при очень низких температурах осуществляется посредством подбарьерного
туннелирования электронов между ямами аналогично прыжковой проводимости.
При более высоких темп-pax электропроводность обусловлена тепловым "забросом"
носителей на высокие энергетич. уровни.


П. а. имеют различные практич. применения.
Халькогенидные стёкла благодаря прозрачности для инфракрасного излучения,
высокому сопротивлению и высокой фоточувствительности применяются в передающих
телевизионных трубках, а также для записи голограмм (см. Голография).
Диэлектрические
плёнки применяются также в структурах МДП (металл - диэлектрик - полупроводник).


В системах металл - плёнка П. а.-металл
при достаточно высоком напряжении (выше порогового) возможен быстрый (10-10сек)
переход (переключение) П. а. из высокоомного состояния в низкоомное. В
частности, существует переключение с "памятью", когда высокопроводящее
состояние сохраняется и после снятия напряжения (память "стирается" обычно
сильным и коротким импульсом тока). Низкоомное состояние в системах с памятью
связано с частичной кристаллизацией П. а.


Лит.: Мотт Н., Дэвис Э., Электронные
процессы в некристаллических веществах, пер. с англ., М., 1974.


В. М. Любим, В. Б. Сандомирский.




А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я