СИНТЕТИЧЕСКИЕ КРИСТАЛЛЫ

СИНТЕТИЧЕСКИЕ КРИСТАЛЛЫ кристаллы,
выращенные искусственно в лабораторных или заводских условиях. Из общего
числа С. к. ок. 104 относятся к неорганич. веществам. Нек-рые
из них не встречаются в природе. Однако первое место занимают органич.
С. к., насчитывающие сотни тысяч разнообразных составов и вообще не встречающиеся
в природе. С другой стороны, из 3000 кристаллов, составляющих многообразие
природных минералов, искусственно удаётся выращивать только неск.
сотен, из к-рых для практич. применения существенное значение имеют только
20 -30 (см. табл.). Объясняется это сложностью процессов кристаллизации
и
технич. трудностями, связанными с необходимостью точного соблюдения режима
выращивания монокристаллов.


Первые попытки синтеза кристаллов,
относящиеся к 16-17 вв., состояли в перекристаллизации воднорастворимых
кристаллич. веществ, встречающихся в виде кристаллов в природе (сульфаты,
галогениды).


После расшифровки состава
природных минералов появились попытки синтеза минералов из порошков с использованием
техники обжига. Этим методом были получены мелкие С. к. В нач. 20 в. синтезом
кристаллов занимались Е. С. Фёдоров и Г. В. Вулъф, к-рые
исследовали условия кристаллизации воднорастворимых соединений и усовершенствовали
аппаратуру. В дальнейшем А. В. Шубников разработал общие принципы
образования кристаллов из водных растворов [сегнетова соль, дигидрофосфат
калия и др., см. рис. 1, а также рис. 1, 2 на вклейке, табл. XVII (стр.
432-433)] и из расплавов (однокомпонентных и многокомпонентных систем),
под его руководством была создана первая фабрика С. к.


Рис. 1. Синтетические водорастворимые
кристаллы.


С. к. кварца получают в гидротермальных
условиях. Маленькие "затравочные" кристаллы различных кристаллографич.
направлений вырезаются из природных кристаллов кварца. Хотя кварц широко
распространён в природе, однако его природные запасы не покрывают нужд
техники, кроме того, природный кварц содержит много примесей. С. к. кварца
массой до 15 кг выращивают в автоклавах в течение многих месяцев,
а особо чистые кристаллы (оптический кварц) растут неск. лет (рис. 3, 4
на вклейке).



Наиболее распространённые
синтетические кристаллы














































































































































































































































































































































































Название


Химическая
формула


Методы
выращивания


Средняя
величина кристаллов


Области
применения


Кварц


SiO

Гидротермальныц


От
1 до 15 кг, 300X200X150 мм


Пьезоэлектрич.
преобразователи, ювелирные изделия, оптич. приборы


Корунд


А1

Методы
Вернейля и Чохральского, зонная плавка


Стержни
диам. 20-40 мм, дл. до 2 м, пластинки 200X300X30 мм


Приборостроение,
часовая пром-сть, ювелирные изделия


Германий


Ge


Метод
Чохральч ского


От
100 г до 10 кг, цилиндры 200 мм х 500 мм


Полупроводниковые
приборы


Кремний


Si


То
же


"


То
же


Галогениды


КС1,
NaCl


"


От
1 до 25 кг, 100X100X600 мм


Сцинтилляторы


Сегнетова
соль


KNaCх 4H

Кристаллизация
из растворов


От
1 до 40 кг, 500X500X300 мм


Пьезоэлементы


Дигидрофосфат
калия


KH

То
же


От
1 до 40 кг, 500X500X300 мм


"


Алюмоиттриевый
гранат


Y

Метод
Чохральского, зонная плавка


40X40X150
мм
30X200X150
мм


Лазеры,
ювелирные изделия


Иттриево-железистый
гранат


Y

Кристаллизация
из растворов-расплавов


30X30X30
мм


Радиоакустическая
пром-сть, электроника


Гадолиний-галлиевый
гранат


Gd

Метод
Чохральского


20X30X100
мм


Подложки
для магнитных плёнок


Алмаз


С


Кристаллизация
при сверхвысоких давлениях


От
0,1 до 3 мм


Абразивная
пром-сть


Ниобат
лития


LiNbO

Метод
Чохральского


10X10X100
мм


Пьезо-
и сегнетоэлементы


Нафталин


C

Метод
Киропулоса


Блоки
в неск. кг


Сцинтнлляционные
приборы


Би
фталат


калия



C

Кристаллизация
из водных растворов


40X100X100
мм


Рентгеновские
анализаторы, нелинейная оптика


Кальцит


СаСОз


Гидротермальный


10X30X30
мм


Оптич.
приборы


Сульфид
кадмия


CdS


Рост
из газовой фазы


Стержни
20X20X100 мм


Полупроводниковые
приборы


Сульфид
цинка


ZnS


То
же


Стержни
20X20X100 мм


То
же


Арсенид
галлия


GaAs


Газотранспортные
реакции


Стержни
20X20X100 мм


"


Фосфид
галлия


GaP


То
же


"


"


Молибдаты
редкоземельных элементов


Y(MoO

Комбинированный
метод Чохральского


10X10X100
мм


Лазеры


Двуокись
циркония


ZrO

Высокочастотный
нагрев в холодном контейнере


Блоки
ок. 2 кг, столбчатые кристаллы 100X10X50 мм


Ювелирные
изделия


Двуокись
гафния


Hf0

То
же


"


"


Вольфрамат
кальция


CaWO

''


10X10X100
мм


Лазеры


Алюминатиттрия


IA10

Метод
Чохральского


10X10X100
мм


>


Алюминий
(трубы разных сечений)


Al


Метод
Степанова


дл.
103 мм, диам. 3-200 мм


Металлургия





Мир геометрически правильных
кристаллов связан в сознании людей с миром драгоценных и поделочных
камней.
Поэтому усилия многих учёных были направлены на синтез алмаза,
рубина, аквамарина, сапфира и др. В начале века были получены С. к. рубина
из
растворов в расплавах поташа и соды в виде кристалликов тёмно-малинового
цвета. Позже (в кон. 19 в.) франц. учёный Вернейль изобрёл спец. аппарат
для получения С. к. рубина, к-рый в дальнейшем был усовершенствован. Порошок
А1поступает в зону печи, где происходит горение водорода в кислороде. Капли
расплавленной массы попадают затем на более холодный участок затравки и
тотчас же кристаллизуются. В СССР работают аппараты системы С. К. Попова,
к-рые позволяют получать С. к. рубина в виде стержней диаметром от 20 до
40 мм и дл. до 2 м - для лазеров, нитеводителей, а
также для стёкол космич. приборов. Большую долю С. к. рубина потребляет
часовая пром-сть, но основным потребителем синтетич. рубина является ювелирная
пром-еть. Добавка к А1Ni и др. позволяет получить С. к. различной окраски, имитирующие окраску
сапфиров,
топазов, аквамаринов
(рис. 5, 6 на вклейке) и др. природных драгоценных
камней.


С. к. алмаза были
получены в 50-х гг. из порошка графита, смешанного с Ni. Смесь прессуется
в виде небольших (2 -3 см) дисков, к-рые затем нагреваются до темп-ры
2000-3000 0С при давлении в 100-200 тыс. am. В этих условиях
графит превращается в алмаз. Величина С. к. алмаза порядка десятых долей
мм.
В
особых условиях удаётся получить С. к. алмаза до 2-3 мм.
В СССР
создана алмазная пром-сть для нужд гл. обр. буровой техники. С. к. алмазов,
конкурирующие с природными ювелирными образцами, пока получены в небольших
количествах.


Начиная с 50-х гг. развивается
пром-сть органич. С. к.- нафталина, стильбена, толана, антрацена
и
др., применяющихся в сцинтилляционных устройствах (см., напр., Сцинтилляционный
счётчик).
Синтез этих кристаллов осуществляется в основном методом
Чохральского. По размерам эти С. к. соперничают с крупными неорганическими
(воднорастворимыми) кристаллами. Наиболее применяемые полупроводниковые
кристаллы (Ge, Si, Ga, As и др.) в природе не встречаются. Все они выращиваются
из расплавов в виде цилиндров диаметром от 10 до 20 см и дл. 30
- 50 см.


В лабораторных условиях из
растворов расплавов выращивают С. к. феррогранатов и изумрудов. Однако
пром. развития эти методы ещё не получили. Развиваются исследования, связанные
с пром. выпуском синтетич. драгоценных камней на основе алюмоиттриевых
гранатов (гранатиты) (рис. 2) и двуокисей циркония и гафния (ф и а н и
т ы). Это - С. к. с широкой гаммой окраски, имитирующие изумруды, топазы
и алмазы за счёт большого преломления света.


Рис. 2. Вверху - синтетические
кристаллы феррогранатов; внизу - изделия из алюмогранатов.


Лит.: Федоров Е. С.,
Процесс кристаллизации, "Природа", 1915, декабрь; В у л ь ф Г. В., Кристаллы,
их образование, вид и строение, М., 1917; Шубников А. В., Как растут кристаллы,
М.- Л., 1935; Аншелес О. М., Татарский В. Б., Штернберг А. А., Скоростное
выращивание однородных кристаллов из растворов, [Л.], 1945; Попов С. К..
Новый производственный метод выращивания кристаллов корунда, "Изв. АН СССР.
Серия физическая", 1946, т. 10. № 5-6; Штернберг А. А., Кристаллы в природе
и технике, М., 1961; Условия роста и реальная структура кварца, в кн.:
IV Всесоюзное совещание по росту кристаллов, Ер., 1972, ч. 2, с. 186; МильвидскийМ.
Г., Освенский В. Б., Получение совершенных монокристаллов полупроводников
при кристаллизации из расплава, там же, ч. 2, с. 50; Б а г д а с а р о
в X. С., Проблемы синтеза крупных тугоплавких оптических монокристаллов,
там же, ч. 2, с. 6; Т и м о ф е е в а В. А., Дохновский И. Б., Выращивание
иттриево-железистых гранатов из растворов -расплавов на точечных затравках
в динамическом режиме, "Кристаллография!", 1971, т. 16, в. 3, с. 616; Яковлев
Ю. М., Г е н-делев С. III., Монокристаллы ферритов в радиоэлектронике,
М., 1975.

В. А. Тимофеева.




А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я