СИНТЕТИЧЕСКИЕ КРИСТАЛЛЫ
кристаллы,
выращенные искусственно в лабораторных или заводских условиях. Из общего
числа С. к. ок. 104 относятся к неорганич. веществам. Нек-рые
из них не встречаются в природе. Однако первое место занимают органич.
С. к., насчитывающие сотни тысяч разнообразных составов и вообще не встречающиеся
в природе. С другой стороны, из 3000 кристаллов, составляющих многообразие
природных минералов, искусственно удаётся выращивать только неск.
сотен, из к-рых для практич. применения существенное значение имеют только
20 -30 (см. табл.). Объясняется это сложностью процессов кристаллизации
и
технич. трудностями, связанными с необходимостью точного соблюдения режима
выращивания монокристаллов.
Первые попытки синтеза кристаллов,
относящиеся к 16-17 вв., состояли в перекристаллизации воднорастворимых
кристаллич. веществ, встречающихся в виде кристаллов в природе (сульфаты,
галогениды).
После расшифровки состава
природных минералов появились попытки синтеза минералов из порошков с использованием
техники обжига. Этим методом были получены мелкие С. к. В нач. 20 в. синтезом
кристаллов занимались Е. С. Фёдоров и Г. В. Вулъф, к-рые
исследовали условия кристаллизации воднорастворимых соединений и усовершенствовали
аппаратуру. В дальнейшем А. В. Шубников разработал общие принципы
образования кристаллов из водных растворов [сегнетова соль, дигидрофосфат
калия и др., см. рис. 1, а также рис. 1, 2 на вклейке, табл. XVII (стр.
432-433)] и из расплавов (однокомпонентных и многокомпонентных систем),
под его руководством была создана первая фабрика С. к.
Рис. 1. Синтетические водорастворимые
кристаллы.
С. к. кварца получают в гидротермальных
условиях. Маленькие "затравочные" кристаллы различных кристаллографич.
направлений вырезаются из природных кристаллов кварца. Хотя кварц широко
распространён в природе, однако его природные запасы не покрывают нужд
техники, кроме того, природный кварц содержит много примесей. С. к. кварца
массой до 15 кг выращивают в автоклавах в течение многих месяцев,
а особо чистые кристаллы (оптический кварц) растут неск. лет (рис. 3, 4
на вклейке).
Наиболее распространённые
синтетические кристаллы
Название
|
Химическая
формула |
Методы
выращивания |
Средняя
величина кристаллов |
Области
применения |
|
Кварц
|
SiO |
Гидротермальныц
|
От
1 до 15 кг, 300X200X150 мм |
Пьезоэлектрич.
преобразователи, ювелирные изделия, оптич. приборы |
|
Корунд
|
А1 |
Методы
Вернейля и Чохральского, зонная плавка |
Стержни
диам. 20-40 мм, дл. до 2 м, пластинки 200X300X30 мм |
Приборостроение,
часовая пром-сть, ювелирные изделия |
|
Германий
|
Ge
|
Метод
Чохральч ского |
От
100 г до 10 кг, цилиндры 200 мм х 500 мм |
Полупроводниковые
приборы |
|
Кремний
|
Si
|
То
же |
"
|
То
же |
|
Галогениды
|
КС1,
NaCl |
"
|
От
1 до 25 кг, 100X100X600 мм |
Сцинтилляторы
|
|
Сегнетова
соль |
KNaC |
Кристаллизация
из растворов |
От
1 до 40 кг, 500X500X300 мм |
Пьезоэлементы
|
|
Дигидрофосфат
калия |
KH |
То
же |
От
1 до 40 кг, 500X500X300 мм |
"
|
|
Алюмоиттриевый
гранат |
Y |
Метод
Чохральского, зонная плавка |
40X40X150
мм 30X200X150 мм |
Лазеры,
ювелирные изделия |
|
Иттриево-железистый
гранат |
Y |
Кристаллизация
из растворов-расплавов |
30X30X30
мм |
Радиоакустическая
пром-сть, электроника |
|
Гадолиний-галлиевый
гранат |
Gd |
Метод
Чохральского |
20X30X100
мм |
Подложки
для магнитных плёнок |
|
Алмаз
|
С
|
Кристаллизация
при сверхвысоких давлениях |
От
0,1 до 3 мм |
Абразивная
пром-сть |
|
Ниобат
лития |
LiNbO |
Метод
Чохральского |
10X10X100
мм |
Пьезо-
и сегнетоэлементы |
|
Нафталин
|
C |
Метод
Киропулоса |
Блоки
в неск. кг |
Сцинтнлляционные
приборы |
|
Би
фталат калия |
C |
Кристаллизация
из водных растворов |
40X100X100
мм |
Рентгеновские
анализаторы, нелинейная оптика |
|
Кальцит
|
СаСОз
|
Гидротермальный
|
10X30X30
мм |
Оптич.
приборы |
|
Сульфид
кадмия |
CdS
|
Рост
из газовой фазы |
Стержни
20X20X100 мм |
Полупроводниковые
приборы |
|
Сульфид
цинка |
ZnS
|
То
же |
Стержни
20X20X100 мм |
То
же |
|
Арсенид
галлия |
GaAs
|
Газотранспортные
реакции |
Стержни
20X20X100 мм |
"
|
|
Фосфид
галлия |
GaP
|
То
же |
"
|
"
|
|
Молибдаты
редкоземельных элементов |
Y |
Комбинированный
метод Чохральского |
10X10X100
мм |
Лазеры
|
|
Двуокись
циркония |
ZrO |
Высокочастотный
нагрев в холодном контейнере |
Блоки
ок. 2 кг, столбчатые кристаллы 100X10X50 мм |
Ювелирные
изделия |
|
Двуокись
гафния |
Hf0 |
То
же |
"
|
"
|
|
Вольфрамат
кальция |
CaWO |
''
|
10X10X100
мм |
Лазеры
|
|
Алюминатиттрия
|
IA10 |
Метод
Чохральского |
10X10X100
мм |
>
|
|
Алюминий
(трубы разных сечений) |
Al
|
Метод
Степанова |
дл.
103 мм, диам. 3-200 мм |
Металлургия
|
Мир геометрически правильных
С. к. алмаза были
Начиная с 50-х гг. развивается
В лабораторных условиях из
Рис. 2. Вверху - синтетические
Лит.: Федоров Е. С.,
В. А. Тимофеева.
кристаллов связан в сознании людей с миром драгоценных и поделочных
камней. Поэтому усилия многих учёных были направлены на синтез алмаза,
рубина, аквамарина, сапфира и др. В начале века были получены С. к. рубина
из
растворов в расплавах поташа и соды в виде кристалликов тёмно-малинового
цвета. Позже (в кон. 19 в.) франц. учёный Вернейль изобрёл спец. аппарат
для получения С. к. рубина, к-рый в дальнейшем был усовершенствован. Порошок
А1
расплавленной массы попадают затем на более холодный участок затравки и
тотчас же кристаллизуются. В СССР работают аппараты системы С. К. Попова,
к-рые позволяют получать С. к. рубина в виде стержней диаметром от 20 до
40 мм и дл. до 2 м - для лазеров, нитеводителей, а
также для стёкол космич. приборов. Большую долю С. к. рубина потребляет
часовая пром-сть, но основным потребителем синтетич. рубина является ювелирная
пром-еть. Добавка к А1
сапфиров,
топазов, аквамаринов (рис. 5, 6 на вклейке) и др. природных драгоценных
камней.
получены в 50-х гг. из порошка графита, смешанного с Ni. Смесь прессуется
в виде небольших (2 -3 см) дисков, к-рые затем нагреваются до темп-ры
2000-3000 0С при давлении в 100-200 тыс. am. В этих условиях
графит превращается в алмаз. Величина С. к. алмаза порядка десятых долей
мм.
В
особых условиях удаётся получить С. к. алмаза до 2-3 мм.
В СССР
создана алмазная пром-сть для нужд гл. обр. буровой техники. С. к. алмазов,
конкурирующие с природными ювелирными образцами, пока получены в небольших
количествах.
пром-сть органич. С. к.- нафталина, стильбена, толана, антрацена
и
др., применяющихся в сцинтилляционных устройствах (см., напр., Сцинтилляционный
счётчик). Синтез этих кристаллов осуществляется в основном методом
Чохральского. По размерам эти С. к. соперничают с крупными неорганическими
(воднорастворимыми) кристаллами. Наиболее применяемые полупроводниковые
кристаллы (Ge, Si, Ga, As и др.) в природе не встречаются. Все они выращиваются
из расплавов в виде цилиндров диаметром от 10 до 20 см и дл. 30
- 50 см.
растворов расплавов выращивают С. к. феррогранатов и изумрудов. Однако
пром. развития эти методы ещё не получили. Развиваются исследования, связанные
с пром. выпуском синтетич. драгоценных камней на основе алюмоиттриевых
гранатов (гранатиты) (рис. 2) и двуокисей циркония и гафния (ф и а н и
т ы). Это - С. к. с широкой гаммой окраски, имитирующие изумруды, топазы
и алмазы за счёт большого преломления света.
кристаллы феррогранатов; внизу - изделия из алюмогранатов.
Процесс кристаллизации, "Природа", 1915, декабрь; В у л ь ф Г. В., Кристаллы,
их образование, вид и строение, М., 1917; Шубников А. В., Как растут кристаллы,
М.- Л., 1935; Аншелес О. М., Татарский В. Б., Штернберг А. А., Скоростное
выращивание однородных кристаллов из растворов, [Л.], 1945; Попов С. К..
Новый производственный метод выращивания кристаллов корунда, "Изв. АН СССР.
Серия физическая", 1946, т. 10. № 5-6; Штернберг А. А., Кристаллы в природе
и технике, М., 1961; Условия роста и реальная структура кварца, в кн.:
IV Всесоюзное совещание по росту кристаллов, Ер., 1972, ч. 2, с. 186; МильвидскийМ.
Г., Освенский В. Б., Получение совершенных монокристаллов полупроводников
при кристаллизации из расплава, там же, ч. 2, с. 50; Б а г д а с а р о
в X. С., Проблемы синтеза крупных тугоплавких оптических монокристаллов,
там же, ч. 2, с. 6; Т и м о ф е е в а В. А., Дохновский И. Б., Выращивание
иттриево-железистых гранатов из растворов -расплавов на точечных затравках
в динамическом режиме, "Кристаллография!", 1971, т. 16, в. 3, с. 616; Яковлев
Ю. М., Г е н-делев С. III., Монокристаллы ферритов в радиоэлектронике,
М., 1975.
А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я