СПРАВОЧНЫЕ ЦЕНЫ
цены различных
товаров в оптовой торговле капиталистич. стран, публикуемые в периодич.
изданиях, а также в оптовых прейскурантах фирм, производящих эти товары
или торгующих ими. К С. ц. близко примыкают т. н. биржевые котировки товаров,
т. е. цены товаров, являющихся объектом биржевой торговли. Однако за биржевыми
котировками, как правило, стоят реальные сделки, тогда как С. ц. обычно
носят номинальный характер, т. е. не отражают цен конкретных продаж, совершаемых
преим. со скидками со С. ц. Степень отклонения С. ц. от фактических зависит
от конъюнктуры рынка: в условиях кризиса увеличение скидок приводит к тому,
что фактич. цены оказываются намного ниже С. ц.; наоборот, в периоды оживления
реальные цены могут быть выше С. ц. В силу того, что индексы оптовых цен
базируются главным образом на С. ц., они скрывают резкость колебаний реальных
цен.
S-ПРИБОPЫ, полупроводниковые приборы,
действие к-рых основано на S-образной вольт-амперной характеристике, на
к-рой есть один (AB) или неск. участков с отрицательным сопротивлением
(см.
рис.). У полупроводниковых приборов существует 2 типа нелинейных воль т-амперн
ых характеристик. Один из них характеризуется N-образной формой
(см. Туннельный диод, Ганна диод), другой - S-образной. S-n. реализуются
различными способами. Первым S-n. был кристадин. К S-n. относятся четырёхслойные
структуры, в к-рых чередуются слои полупроводника с проводимостями
п-
и
р-типов (тетристор). Четырёхслойная структура содержит три p - n-перехода
(см. Электронно-дырочный переход).
Рабочий диапазон токов и напряжений
тетриторов колеблется от единиц до десятков и сотен a и от десятков
до неск. сотен в и выше. Др. распространённым S-n. является д в
у хбазовый диод (однопереходный транзистор), у к-рого имеются 3 электрода
и 2 цепи - эмиттерная и межбазовая. При наличии тока в межбазовой цепи
в эмиттерной цепи возникает S-характеристика. S-характеристику имеют также
при определённых условиях лавинные транзисторы,
Ганна диоды и лавиннр-инжекционные
полупроводниковые
диоды.
Наибольшее практич. применение получили
четырёхслойные структуры; они используются в электротехнич. пром-сти, в
силовой и преобразоват. технике (где они вытеснили громоздкие и ненадёжные
тиратроны)
и
в электронике. Широкое распространение получил и двухбазовый диод, на основе
к-рого создаются релаксационные генераторы и линии задержки. В перспективе
- использование четырёхслойных структур и однопереходных транзисторов в
микроэлектронике.
Вводя в полупроводник примеси, создающие
глубоколежащие энергетич. уровни в запрещённой зоне, значительно повышают
его сопротивление. При протекании тока первоначальное низкое сопротивление
восстанавливается (компенсируется), причём часто повышение проводимости
полупроводника сопровождается понижением падения напряжения на нём в то
время, как ток растёт. Это и обусловливает S-образную вольт-амперную характеристику.
Известны S-H. на компенсированных Si, Ge, GaAs и др. материалах. В большинстве
случаев переход от высокого сопротивления к низкому сопровождается шнурованием
тока, т. е. уменьшением поперечного сечения токового канала. Шнурование
тока имеет место (в пренебрежении собственными магнитными полями тока)
только в S-n. Напр., в S-диодах из Si, компенсированного кадмием, удалось
наблюдать скачкообразное уменьшение диаметра сечения токового канала от
400 мкм до 80-100 мкм. Шнурование тока наблюдается в компенсированном
Ge, четырёхслойных структурах и т. д. С увеличением тока шнур расширяется
так, что плотность тока в нём остаётся постоянной. При этом шнур может
занять всю площадь контакта, как бы велика она ни была. Шнур может перемещаться
как целое (напр., в магнитном поле), не меняя величины поперечного сечения.
Обе особенности указывают на возможности практич. использования S-n. для
создания коммутаторов и переключателей тока высокой надёжности.
S-n. имеют по крайней мере 2 устойчивых
состояния. Это позволяет создавать на их основе нейристоры, представляющие
собой электронную модель окончания нервной клетки - аксона.
В S-n.,
созданных на основе компенсированного CaAs, наблюдается свечение при переходе
прибора из высокоомного состояния в низкоомное. T. е., S-n. может быть
управляемым источником света.
Находят применение также тетристоры. Возможно
управление тетристорами при помощи падающего на них пучка света.
Лит.: Лосев О. В., Детектор-генератор,
детектор-усилитель, "Телефония и телеграфия без проводов", 1922, № 14;
Г а р я инов С. А.,Абезгауз И. Д., Полупроводниковые приборы с отрицательным
сопротивлением, M., 1970; Полупроводниковые приборы и их применение. Сб.
ст., под ред. Я. А. Федотова, в. 19, M., 1968; то же, в. 25,
M., 1971; Стафеев В. И., Модуляция длины
диффузионного смещения как новый принцип действия полупроводниковых приборов,
"Физика твердого тела", 1959, т. 1, в. 6; Волков А. Ф., Коган Ш. M., Физические
явления в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью,
"Успехи физических наук", 1968, т. 96, в. 1. Г. M. Авакьянц.
А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я