ТРАВЛЕНИЕ
в технике, растворение
поверхности твёрдых тел с практич. целью (в отличие от коррозии). Различают
Т. технологическое - для обработки и изменения формы поверхности металлов,
полупроводников, стекла, древесины и др. материалов, и структурное - для
выявления структуры кри-сталлич. материалов (см. Металлография, Минералогия).
Технологическое Т. (чаще всего химическое)
применяется, напр., для очистки от окалины или для получения требуемого
вида поверхности металлич. полуфабрикатов, при лужении, пайке. Т. типографских
клише заключается в обработке кислотой участков металлич. (преим. цинковой)
пластины,
не защищённых кислотоупорным слоем; при Т. эти участки оказываются углублёнными.
Подобное Т. для создания необходимого профиля поверхности широко распространено
в совр. технологии полупроводниковых приборов,
для изготовления
интегральных схем (см. также Микроэлектроника)
и печатных
плат в электронике (см. Печатные схемы). Для получения нужного рисунка
схемы на полупроводниковые кристаллы или покрытые металлич. фольгой (медной,
алюминиевой, олово-никелевой и др.) печатные платы наносится химически
стойкий слой диэлектрика, а свободные от него участки подвергаются Т.,
напр. для удаления металлич. слоя. Т. полупроводниковых материалов - важная
операция при изготовлении полупроводниковых приборов и в эпитаксиаль-ной
технологии (см. Эпитаксия) - для очистки поверхности от загрязнений
и окислов; для удаления нарушенного слоя после механической обработки и
контролируемого удаления материала с целью получения пластин заданной толщины
с совершенной поверхностью; для контролируемого изменения поверхностных
свойств; для создания нужного рельефа на поверхности пластин (напр., для
вытравливания лунок при изготовлении различного типа сплавных и поверхностно-барьерных
транзисторов); для ограничения площади
р-я-переходов в готовых
диодных и триодных структурах. Стекло подвергают Т. для образования на
нём рисунка или матовой поверхности, дерево - для придания не свойственного
ему вида. Электрохимич. Т. успешно применяется для металлов и сплавов,
хим. Т. к-рых затруднено (тантал, молибден, вольфрам, жаропрочные
сплавы), а также для полупроводников. Преимущества электрохимич.
Т. по сравнению с химическим - чистота поверхности (на ней не остаётся
никакого осадка) и чрезвычайная гибкость в управлении процессом.
Структурное Т.- протравливание полированных
шлифов кристаллич. материалов, поверхности слитков и полуфабрикатов, граней
или сколов кристаллов различными хим. реактивами; при этом выявляются особенности
хим. и фазового состава и кристаллич. строения, к-рые можно
наблюдать невооруж. глазом (макроструктура) или с помощью микроскопа
(микроструктура).
Структурное Т. используется для науч. исследований, в прикладной минералогии
(в т. ч. для диагностики рудных минералов)
и в пром-сти - для контроля
структуры при произ-ве металлов, сплавов,
полупроводников
и диэлектриков. По симметрии фигур Т. на гранях определяют ориентацию кристаллов.
Метод фигур Т. успешно применяется гл. обр. в технологии полупроводников,
для выявления дефектов в кристаллах: мало угловых и двойниковых
границ, дислокаций и дефектов упаковки.
Лит.: Жадан В.Т.,Гринберг Б.Г.,
Никонов В. Я., Технология металлов и других конструкционных материалов,
2 изд., М., 1970; Травление полупроводников, пер. с англ., М., 1965; Справочник
по печатным схемам, пер. с англ., М., 1972; Коваленко В. С., Металлографические
реактивы. Справочник, 2 изд., М., 1973; Курносов А. И., Юдин В. В., Технология
производства полупроводниковых приборов, М., 1974; Пшеничнов Ю. П., Выявление
тонкой структуры кристаллов. Справочник, М., 1974. Г. В. Инденбаум.
А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я