ФОТОКАТОД

ФОТОКАТОД катод
электровакуумного прибора, эмиттирующий электроны под действием света
(см. Фотоэлектронная эмиссия). Для изготовления Ф. обычно используют
вещества на основе соединений элементов I группы периодич. системы Менделеева
с элементами V или VI группы. Наибольшее распространение получили след.
Ф.: кислородно-серебряно-це-зиевые (состоят из Csсвободного Cs и вкраплениями чистого Ag); сурьмяно-цезиевые (Csмногощелочные Ф. (состоят из соединений Sb с Cs и Sb с К и Na). Вещество
наносят в виде мономолекулярного слоя на металлич. или стеклянную пластинку
(подложку). Ф. бывают непрозрачные (они освещаются со стороны вакуума)
и полупрозрачные (освещаются со стороны подложки).

Осн. параметр, характеризующий
эффективность Ф..- интегральная чувствительность (ИЧ), равная отношению
фототока к вызывающему его световому потоку. Напр., у непрозрачных ки-слородно-серебряно-цезиевых
и сурьмяно-цезиевых Ф. ИЧ составляет 100- 120 мка/лм; у непрозрачных
многощелочных Ф. ИЧ достигает 1000 мка/мл, у полупрозрачных - 600
мка/лм.

В 60-х гг. 20 в. разработаны
Ф. нового типа, получившие назв. Ф. с отрицательным электронным сродством
(см. Сродство к электрону). К ним относятся Ф., выполненные на основе
соединений типа А^ш B^v, напр. Ga As (чувствительные
к видимому свету), InAsP и InGaAs (чувствительные к видимому свету и инфракрасному
излучению с длиной волны до 1,5 мкм). ИЧ непрозрачных Ф. нового
типа достигает 1500 мка/лм и более. ИЧ полупрозрачных новых Ф. сравнительно
невелика. Так, у Ф. с толщиной плёнки 1-2 мкм из GaAs ИЧ не превышает
400 мка/лм, т. е. меньше, чем у полупрозрачных многощелочных Ф.
Технология изготовления Ф. нового типа значительно сложнее, чем обычных,
поэтому Ф. с отрицат. электронным сродством ещё не получили широкого распространения.

Лит. см. при ст. Фотоэлектронная
эмиссия. П. В. Тимофеев.

А Б В Г Д Е Ё Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я